AMG Power, производитель электронных компонентов, недавно анонсировал выпуск обновленной версии последнего поколения SiC MOSFET-транзисторов пиковой мощности с напряжением 1700 В 25 мОм и током пробоя до 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В. Этот продукт получил название A2G100N1700MT4.
SiC MOSFET-транзисторы пиковой мощности представляют собой инновационные решения для разработчиков, их применение позволяет существенно улучшить энергоэффективность системы. Кроме того, они предлагают высокую производительность при низких уровнях шума, а также очень низкое время отклика. Эти преимущества делают их идеальным выбором для применения в современных системах автоматического управления.
AMG Power SiC MOSFET-транзистор поколения Gen2 1700 В 25 мОм 100 А в корпусе TO-247-4 с управляющим напряжением -5/+18 В предлагает более высокую степень энергоэффективности и более
